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Los 2nm de TSMC podrían ser posibles en 2023

La publicación Taiwan Economic Daily ha compartido en un artículo reciente una información de gran relevancia para el futuro desarrollo de los chips más allá de los 5 nm. Concretamente, parece que TSMC ha conseguido superar una importante barrera tecnológica en el camino hacia los 2 nm hasta el punto de que ahora parece posible que sea 2023 cuando empiecen a fabricarse chips en este nodo.

TSMC tiene que pasar del diseño actual FinFET a otro MBCFET (multi-bridge channel field) basado en la tecnología Gate-All-Around o GAA. Este avance llega un año después de haberse formado el equipo encargado en exclusiva al diseño de chips de 2 nm.

MBCFET va más allá de la arquitectura GAAFET partiendo de los transistores Nanowire Field-effect y extendiendo el concepto hasta convertirlos en Nanosheets (nanoláminas). La idea es convertir el transistor de efecto de campo en tridimensional para mejorar aspectos como la reducción de la corriente de fuga o el control del circuito.

Samsung también está trabajando en esta tecnología para su nodo de 3 nm. El coste del desarrollo sube exponencialmente, eso sí. Si el desarrollo de los 5 nm costó 476 millones de dólares, el de la tecnología de 3 nm de Samsung superará los 500 millones, y los 2 nm superarán esta cifra con claridad.

Lo que importa aquí es que, de momento, parece que la tecnología de fabricación puede seguir avanzando sin que aún se haya tropezado con la supuesta barrera insalvable que obligaría a un cambio radical en la fabricación de procesadores.