Hardware

Micron lanza su 5ª generación de memoria 3D NAND Flash

Micron ha anunciado que ya está en disposición de fabricar en volumen su memoria 3D NAND Flash de 176 capas, lo cual supone dar un salto del 40% sobre la generación anterior de apilamento de memoria NAND. Es la quinta generación de memoria 3D NAND de Micron y la segunda generación de la arquitectura «replacement-gate».

Entre otros parámetros, se mejora la latencia de lectura y escritura en más del 35% con un tamaño de los chips que se reduce un 30% frente a la competencia por lo que es una tecnología ideal para dispositivos con limitaciones de tamaño como los smartphones, drones, wearables, IoT, etcétera.

Es una tecnología que se ha optimizado también para su uso en centros de datos: la mejora de la calidad de servicio (QoS2) está enfocada a este tipo de usos. La velocidad de transferencia se ha incrementado también con un máximo de 1.600 Mega transfers por segundo (MT/s) sobre la Open NAND Flash Interface (ONFI) lo cual supone una mejora del 33%. La durabilidad es otro parámetro que se beneficia del uso de esta tecnología.

Los productos basados en esta tecnología llegarán durante 2021.